최대 700μm/h(Si Wafer, 8kV 기준)의 높은 식각률을
제공하여 시료 전처리 시간을 단축합니다. 신속한 단면
가공이 가능해 분석 효율을 향상시킵니다.
금속, 세라믹, 반도체 등 다양한 소재의 SEM 분석용 시편 제작에 적합합니다. 시료 손상을 최소화하면서 균일하고 정밀한 단면을 구현할 수 있습니다.
시료 표면의 유기막, 산화층 및 각종 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있습니다. 미세 결함과 불량 원인을 보다
정확하게 분석할 수 있는 최적의 전처리 환경을 제공합니다.
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